Offset Reduction Scheme of the Voltage Latched Sense Amplifier
Dong-Yeong Kim, Geon Kim, Jin-Hyo Park, Su Yeon Kim, Je-Won Park, Myoung‐Jin Lee · Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers · 2022
저전력 고집적 메모리 반도체의 발전을 위해 센스앰프의 오프셋을 감소시키는 것이 중요하다. 본 논문에서는 오프셋에 의한 sensing fail rate를 감소시키기 위해 Separated Driving-node Sense Amplifier (SDSA)를 제안하였다. Conventional VLSA에서 구동 라인을 분리하여 동작하는 방법으로 0.9V, 동일한 면적에서 sensing fail rate는 70% 이상 감소하고, 면적 증가에 따른 sensing fail rate 감소 효과는 15% 이상 상승하였다.