Silicon photoelectronic multipliers as a basis for creating combined sensors
Иван Романович Гулаков, А. О. Зеневич, O. V. Kochergina, E.V. Novikov · Известия высших учебных заведений. Приборостроение · 2021
Проанализирована возможность построения комбинированных датчиков на основе кремниевых фотоэлектронных умножителей.Исследовано влияние температуры и напряжения питания кремниевых фотоэлектронных умножителей (Si-ФЭУ) на изменение темнового тока, чувствительности к оптическому излучению и критической освещенности.Предложена установка для проведения исследований.В качестве объектов изучения использованы опытные образцы фотоэлектронных умножителей со структурой p + -p-n + производства ОАО "Интеграл" (Республика Беларусь), а также серийно выпускаемые кремниевые фотоэлектронные умножители Кетек РМ 3325 и ON Semi FC 30035.Показано, что зависимость темнового тока от температуры для этих Si-ФЭУ имеет линейный вид.Установлено, что увеличение температуры приводит к уменьшению чувствительности кремниевых фотоэлектронных умножителей к оптическому излучению.Показано, что с ростом температуры значение критической освещенности Si-ФЭУ увеличивается.С учетом результатов исследований предложена структура комбинированного датчика на основе кремниевого фотоэлектронного умножителя, который позволяет одновременно контролировать два параметра: температуру и