A Unified Buffering Management with Set Divisible Cache for PCM Main Memory
Meiying, Bian, Su-Kyung, Yoon, Jeong-Geun, Kim, SangJae, Nam, Shin-Dug · Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni · 2016
这研究建议阶段变化记忆(脉冲编码调制) 与基于超级块的适应缓冲结构和它的联系设置的可分的持续水平缓存(LLC ) 的有效联合基于主要存储器系统。为了完成类似于动态随机存取的记忆( DRAM )的高效，基于主要记忆，基于超级块的适应缓冲区( SABU )由双 DRAM 缓冲区组成，即，一个好攻击的基于超级块的预取缓冲区( SBPB )和再使用的适应亚块缓冲( SBRB )，并且设置的可分的 LLC 基于一个缓存空间优化计划。根据我们的实验，更长的脉冲编码调制存取潜伏能典型地用我们的建议 SABU 被隐藏，它能显著地减少数字在 26.44% 在脉冲编码调制主要记忆上写。SABU 途径能减少脉冲编码调制存取潜伏直到 0.43 次，与常规 DRAM 主要存储器相比。同时，平均记忆精力消费能被 19.7% 减少。