The use of microelectronics radiation behavior asphysical uncloned function to find counterfeit
Anatoly Petrovich Durakovskiy, Leonid N. Kessarinskiy, Alexey O. Shirin · Bezopasnost informacionnyh tehnology · 2020
Статья посвящена проблеме подделки электронных устройств. Постоянно растущие требования к характеристикам и функциональным возможностям изделий электронной компонентной базы (ЭКБ), применяющимся в ответственной аппаратуре (космических аппаратах, технике двойного и специального назначения, транспорте и т.д.), приводят к применению продукции коммерческой категории качества иностранного производства. Таким образом, возникает риск применения ЭКБ контрафактного происхождения, что определяет необходимость проводить испытания и исследования, подтверждающие аутентичность изделий. Но даже применение всего арсенала методов исследований не гарантирует 100% достоверности результата, подтверждающего аутентичность изделия. Кроме того, глобальная тенденция заключается в том, что количество поддельных микросхем (и не только микросхем) увеличивается, но эффективность методов обнаружения падает. Одним из методов борьбы с контрафакцией является маркировка подлинных компонентов. И самый безопасный для маркировки метод, основанный на физически неклонируемых функциях (ФНФ) т.е. таких свойств изделия, которые невозможно воспроизвести в следствие естественного разброса характеристик паразитных структур, неопределенности результатов случайных процессов технологии производства. Распределение амплитуд ионизационных откликов и радиационная деградация параметров по мере накопления поглощенной дозы является одной из таких ФНФ т.к. обладает нужными свойствами: невозможностью воспроизведения с одной стороны, и однородностью результатов в рамках одной партии микросхем или транзисторов с другой стороны. Поэтому предлагается использовать различные признаки ухудшения радиационного поведения в качестве ФНФ. Несколько примеров такого использования представлены в статье.