On approach to optimize manufacturing of field-effect heterotransistors framework circuit of a sixth-order Chebyshev low-pass filter to increase their integration rate. The influence of mismatch-induced stress.
E.L. Pankratov · Journal of Radio Electronics · 2018
О СПОСОБЕ ОПТИМИЗАЦИИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ В СОСТАВЕ СХЕМЫ НИЗКОЧАСТОТНОГО ЧЕБЫШЕВСКОГО ФИЛЬТРА ШЕСТОГО ПОРЯДКА С ЦЕЛЬЮ УВЕЛИЧЕНИЯ СТЕПЕНИ ИХ ИНТЕГРАЦИИ.ВЛИЯНИЕ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ Е. Л. Панкратов Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 603950, Нижний Новгород, пр.Гагарина 23 Статья поступила в редакцию 12 декабря 2018 г.Аннотация.В данной работе предлагается способ увеличения плотности полевых транзисторов, входящих в состав низкочастотного чебышевского фильтра шестого порядка.В рамках данного способа рассматриваемый элемент формируется на базе трехслойной гетероструктуры со специфической конфигурацией.Необходимые ее участки легируются с помощью диффузии или ионной имплантации.Далее рассматривается оптимизированный отжиг примеси и/или радиационных дефектов.В рамках данной работы также проводится анализ возможности уменьшения существующих в гетероструктурах механических напряжений.Предложена аналитическая методика анализа массо-и теплопереноса в гетероструктурах