Calculation Techniques for Transient Potential Rise of Ground Electrode to Select a Proper Impulse Withstand Voltage of Communication Facilities
Chang Hwan Ahn · Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers · 2018
본 논문은 뇌격전류가 접지전극에 인가되었을 때 발생하는 과도전위상승의 산정기법을 제안하였다. 안테나 이론과 모멘트법을 이용하여 포클링턴방정식의 해를 구하였다. 시간영역의 표준뇌격전류파형은 퓨리에변환을 통하여 주파수영역에서 임피던스와 계산하고, 역퓨리에변환을 통하여 시간영역에서의 과도전위상승을 계산하는 방법을 제안하였다. 30 m 수평접지전극 대상으로 3가지 표준뇌격전류파형에 대하여 뇌격전류의 인가위치와 토양의 대지저항률에 따라 시뮬레이션을 수행하였다. 시뮬레이션 결과 뇌격전류 파형과 대지저항률에 따라 과도전위상승이 달라짐을 확인하였고, 이를 통해 정보통신기기 및 전기기기의 적합한 임펄스내전압 선정의 기초자료로 활용될 수 있다.