Statistical analysis of Total Ionizing Dose response in 25-nm NAND Flash memory
Federica Ferrarese · 2014
Variabilita degli errori, ovvero bit flip, dovuti alla dose totale ionizzante (TID) in memorie Flash SLC da 25 nm. Piu di 1 Terabit di celle e stato esposto a raggi gamma da Co-60 e sono stati misurati gli errori indotti dalla radiazione ionizzante. L'obiettivo della tesi e stato lo studio del comportamento delle memorie Flash nello spazio e prevederne l’affidabilita.