Development of a High-Capacity Power Supply Using IGBT for Plasma Devices
Byung-Ho Lee · The Journal of Korean Institute of Information Technology · 2013
본 논문에서는 기존의 전원장치들의 문제점을 해결할 수 있는 PLC(programmable logic controller) 및 IGBT(insulated gate bipolar transistor)를 이용한 대용량 플라즈마 전력변환장치를 개발한다. 개발하고자 하는 장치는 입력 필터부, 정류부, 쵸퍼부, 출력변환부, Converter부, 스위칭부 및 바이패스부 등으로 구성되어 있다. 특히 개발한 전원장치에서는 기존의 대용량전원장치의 문제점인 전기적 손실이 크다는 점과 고장이 많이 발생한다는 점을 보완한다. 즉, 개발한 전원장치는 듀얼(dual) 방식을 사용하므로 IGBT 고장 시에 바이패스(bypass) 모드로 신속하게 전환할 수 있다. 그러므로 플라즈마 전원장치의 예기치 않은 고장 발생 시에도 잘 동작할 수 있다. 실험결과들로부터 제안한 대용량 전원장치의 성능이 매우 우수함을 알 수 있었다.